為了尋找導致電源模塊的輸出電壓隨溫度升高而明顯下降的主要元器件，根據模塊的電路，選擇相應的元件搭建電路，該電路經(jīng)過(guò)測試可以完成模塊的所有功能，同 時(shí)因為非集成化，可以對其元件單獨測試，避免了集成元件因尺寸太小而難以測試的條件。下面對電源模塊中的重要的元件單獨加熱，測試其電參數隨溫度的變化， 同時(shí)測試電路Vout的變化。

    實(shí)驗中還測試了電路中的輸入輸出的其他電感元件的電感量隨溫度的變化。在整個(gè)加熱階段，其他元件的電感量隨溫度變化很小，與變壓器電感量變化相比可以忽略。而且在變壓器電感量下降的階段，其他電感元件的電感量變化仍然較小。
    為了校正環(huán)境溫度與模塊因自生熱升高的溫度，選擇一模塊，將模塊外殼穿孔，并將感溫線(xiàn)放到變壓器的圓孔內部，測試變壓器的溫度，通過(guò)對測試數據處理，得到 變壓器溫度與環(huán)境溫度的關(guān)系函數：y=1．18x+13?？梢?jiàn)變壓器的溫度遠高于電源模塊的工作溫度。當環(huán)境溫度為150℃，感溫線(xiàn)測試的結果約 190℃，由于感溫線(xiàn)測試點(diǎn)是變壓器圓孔內部的空氣，不是變壓器的磁芯溫度，因此感溫線(xiàn)的測量結果比實(shí)際的變壓器的溫度要低很多，由此可以判斷變壓器的磁 芯溫度將接近居里點(diǎn)，因此當模塊的環(huán)境溫度超過(guò)150℃時(shí)，模塊中變壓器的溫度將達到變壓器磁芯的居里點(diǎn)溫度，此時(shí)模塊的輸出電壓幾乎為零。
2．2 脈寬調制解調器(PWM)
    PWM的主要功能是根據輸出反饋，調節脈沖波形的占空比，并驅動(dòng)功率器件，從而得到穩定的直流輸出電壓。
    在該型號電源模塊中，PWM-SG3524的功能是提供兩路方波信號給三極管和VDMOS，并根據方波信號的寬度控制VDMOS的導通與關(guān)斷時(shí)間。在此試 驗中，對電路工作狀態(tài)的PWM-SG3524單獨加溫，并測試輸出方波信號與溫度的關(guān)系，測得波形沒(méi)有明顯變化；在加溫的同時(shí)對模塊的輸入、輸出電流電壓 進(jìn)行記錄，發(fā)現隨著(zhù)PWM所在環(huán)境溫度的升高輸入電流與輸入電壓變化都很??；輸出電壓與輸出電流變化也很小，加熱PWM導致電參數變化與模塊整體加熱電參 數相比可以忽略。證明PWM-SG3524對模塊的溫度特性影響較小。
2．3 VDMOS
    VDMOS(垂直雙擴散場(chǎng)效應晶體管)在模塊電路中作為開(kāi)關(guān)器件，在感性負載下工作，承受高尖峰電壓和大電流，具有較高的開(kāi)關(guān)損耗和溫升，其開(kāi)關(guān)頻率可高達130 kHz，在這樣高的頻率下工作，可能引起內部多種退化機制，導致VDMOS的性能下降，甚至失效。
    在本實(shí)驗中對模塊中的VDMOS單獨加溫，測試模塊電學(xué)參數的變化，通過(guò)測試得到當溫度到180℃時(shí)，輸入電流隨溫度的升高有較為明顯的增加。而輸出電 壓、輸出電流隨溫度的升高變化較小。此外計算模塊的輸出效率，判斷模塊是否處在正常工作狀態(tài)，通過(guò)計算可到對VDMOS單獨加熱到180℃時(shí)，模塊的輸入 電流迅速增加。而當溫度升至220℃，輸出電壓幾乎沒(méi)有變化，由于模塊在150℃已經(jīng)失效，而此時(shí)單獨加熱溫度已經(jīng)高達180℃，遠高于模塊整體加熱失效 的溫度，因此VDMOS的溫度特性不是影響輸出電壓變化的原因。
2．4 二極管(SBD)
    在模塊中使用的二極管有穩壓二極管，整流二極管，其中整流二極管在電壓轉換過(guò)程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸出端，兩個(gè)整流二極管在 不同時(shí)段導通，使交流脈動(dòng)電壓轉換為直流脈動(dòng)。在本實(shí)驗中，對電路中的SBD單獨加熱，發(fā)現隨著(zhù)溫度的升高，模塊的輸出電壓沒(méi)有較明顯的變化。因此模塊在 高溫工作的環(huán)境下，SBD不是引起模塊輸出電壓下降的主要因素。
2．5 光電耦合器
    光電耦合器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)光耦)以光為媒介傳輸電信號。它對輸入，輸出電信號有良好的隔離作用。光耦一般由3部分組成：光的發(fā)射、光的接收及 信號放大。輸入的電信號驅動(dòng)發(fā)光二極管(LED)，使之發(fā)出一定波長(cháng)的光，它被光探測器接收而產(chǎn)生光電流，再經(jīng)過(guò)進(jìn)一步放大后輸出。這就完成了電一光一電 的轉換，從而起到輸入、輸出隔離的作用。由于光耦輸入輸出間互相隔離，電信號傳輸具有單向性等特點(diǎn)，因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。
    在模塊中，光耦作為隔離輸入、輸出的重要部件，同時(shí)將輸出端比較放大器輸出的電流信號傳輸到PWM的9腳，而9腳是PWM的補償端，它與比較器的反向輸入端相連，控制PWM的11腳和14腳輸出脈沖的寬度。從而調整模塊的輸出電壓保持穩定。
    在本實(shí)驗中，首先測試模塊中使用的光耦NEC2705的輸入端電流與輸出端電流的比例系數隨溫度的變化，輸入端所加電流為11 mA，結果表明在25℃時(shí)，該光耦的電流傳輸比接近1：1，但是隨著(zhù)溫度的升高，輸入電流不變，輸出端的電流逐漸減小，大約每升高10℃，光耦的電流傳輸 比減小4％，結果如圖4所示。

    然后對工作狀態(tài)中模塊的光耦單獨加熱(模塊光耦較大，可取下焊線(xiàn)后單獨加熱)，測量模塊的輸出電壓，見(jiàn)圖5。發(fā)現隨著(zhù)溫度韻升高，模塊電壓逐漸下降，且與 模塊整體加熱時(shí)測得的輸出電壓隨溫度上升而下降趨勢基本符合。通過(guò)分析可知，隨著(zhù)環(huán)境溫度的升高，電源模塊各元件的功耗增加，將導致模塊的輸出電壓的下 降，此時(shí)應當通過(guò)光耦連接的反饋電路，使得PWM輸出的脈寬增加，提高輸出端的電壓，但是由于光電耦合器的傳輸效率下降，不能完全將負反饋的結果傳輸給 PWM。使得PWM輸出脈寬比實(shí)際較窄，即電壓調整能力降低，使輸出電壓隨環(huán)境溫度上升而下降。

3 結語(yǔ)
    綜上所述，模塊溫度特性表現為：在溫度小于150℃的時(shí)候，模塊的輸出電壓緩慢下降，原因是由于光耦電流傳輸比的下降引起；當溫度大于 150℃時(shí)，電源模塊輸出電壓迅速下降，甚至輸出電壓幾乎為零，其原因是此時(shí)模塊中變壓器的磁芯溫度接近居里點(diǎn)溫度(220℃)。變壓器作用失效所引起。 在此情況中，如果模塊內部沒(méi)有產(chǎn)生其他的損傷，當停止加熱，模塊溫度恢復到室溫，模塊重新加電，模塊輸出電壓仍能恢復到正常值。然而，對于本實(shí)驗中測試的 模塊，當環(huán)境溫度超過(guò)150℃左右時(shí)，由于模塊變壓器的磁芯溫度達到距離點(diǎn)，使磁芯溫度升高，該正反饋會(huì )使磁芯溫度迅速升高，產(chǎn)生的熱量也更多，造成模塊 內部其它器件的損壞，很容易造成模塊的永久損毀。